"For innovations and leadership in advancing non-volatile semiconductor memory technologies, including cell density, device integration, and data resiliency."
盧志遠博士率先開發了新一代非易失性存儲器（NVM）技術，包括高密度每單元4 比特NVM存儲、微縮至深度納米的BE-SONOS器件、三維單柵垂直溝道結構NVM、具備片上自修復功能的高可靠性存儲，以及先進的三維NOR閃存技術。基於這些關鍵發明，盧博士帶領團隊成功開發了新一代NVM存儲產品，並為非易失性存儲技術的未來奠定了技術基礎，進一步推動了人工智能、移動通信、雲計算及邊緣計算等領域的廣泛應用。
資訊來源：https://www.futureprize-hk.org/fsplaureates2025